在英特尔和台积电之后，韩国芯片巨头也加入了EUV光刻机新竞赛。 三星电子半导体（DS）部门最早将于今年年底引进High NA极紫外（EUV）设备。除了下一代曝光设备之外，我们还在开发可以检查高数值孔径掩模的设备。看来他们正在积极从事技术开发，以便在与英特尔和台积电等全球半导体竞争对手的“芯片大战”中具有竞争力。 据业内人士13日报道，三星电子最早将于今年年底和明年第一季度开始进口该公司首款High NA EUV设备“EXE:5000”。据说，华城校区的半导体研究中心（NRD）被认为是第一个 H

IT之家 8 月 13 日消息，据韩媒 THE ELEC 报道，SK 海力士研究员 Seo Jae-Wook 在韩国水原当地时间 12 日举行的学术会议上表示，未来考虑转向 4F2 或 3D 结构的 DRAM 内存，以降低成本压力。 Seo Jae-Wook 表示： 从 1c DRAM 开始，EUV 光刻成本迅速增加，现在是时候考虑以这种方式制造 DRAM 是否有利可图了。 （SK 海力士）也在考虑是否应该从下一代产品开始转向 VG（IT之家注：即垂直栅极，Vertical Gate）或 3D